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产品类型： MOSFET

产品参数：

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型号	功能描述	栅极阈值电压	漏源击穿电压	漏源导通电阻	温度范围	封装形式	规格书
CYT06N021	先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS和低栅极电荷	1.11V~2.5V	最小60.1V	11~20mΩ	-40℃~175℃	TO252	暂无文件
CYT06N021I	先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS和低栅极电荷	1.11V~2.5V	最小60.1V	11~20mΩ	-40℃~175℃	TO252	暂无文件

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